ILD03N60 |
RFQ for ILD03N60 |
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| Product | Manufacturers | Pack | D/C |
| ILD03N60 | - | TO-252 | 05+ |
Features |
| • New high voltage technology designed for ZVS-switching in lamp ballasts• IGBT with integrated reverse diode• 4A current rating for reverse diode• Up to 10 times lower gate capacitance than MOSFET• Avalanche rated• 150°C operating temperature• FullPak isolates 2.5 kV AC (1 min.) |
| Parameter |
Symbol |
Value |
Unit | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
ILA03N60 |
Others | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Collector-emitter voltage |
VCE |
600 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DC collector current | TC = 25 TC = 100 |
IC |
3 2.2 |
4.5 3 |
A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Pulsed collector current, tp limited by Tjmax, tp < 10 ms |
ICpuls |
9 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Pulsed collector current, tp limited by Tjmax |
5.5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Diode forward current | TC = 25 TC = 100 |
IF |
4 2.2 |
4 2.5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Diode pulsed current, tp limited by Tjmax, tp < 10 ms |
IFpuls |
9 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Diode pulsed current, tp limited by Tjmax |
5.5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Avalanche energy, single pulse IC=0.4A, VCE=50V |
EAS |
0.32 |
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